两种金属dummy，哪种比较好

没见过右边的啊， 45度很容易offgrid，
只看过左边这种的， tsmc的

去Marvell后端面试的时候，考官说右边的比较好，也不告诉我原因，让我自己想！
我也说只见过左边的，他说见过的未必就是最好的！

2种的实际效果应该是一样的，但是右边的比较容易“骗过”DRC检测

为啥， tsmc官方的utility都是左边的， 有些公司有一些自己的东西吧，没见过，
45度 的是很容易offgrid的

那是因为左边的比较容易写script做出来
dummy metal还考虑on gird的事情吗?

当然了， offgrid 有可能造成dummy和real metal short 啊，
offgrid造成 open，short都有可能的，

那是DRC的space应该检查的，它如果说通过了，就不用管off grid了

1、metal dummy是基于工艺中平整度考虑，也能适当的减少layer层的应力，基于这个考虑图2好于图1；刻蚀中不规则的图形很容易引起过刻蚀或者欠刻蚀的情况，所以不管数字版图或者模拟版图尽量少走45°走信号线，由此来看图1的刻蚀效果会好于图2的，但是关注metal dummy的刻蚀效果又有多少意义呢；
2、陈涛小编说的对，metal dummy不用考虑offgrid的问题，我们考虑offgrid优先看的poly栅的offgrid问题，因为w/l的变化会直接影响器件的性能参数；

offgrid 和spacing是2码事情好不好，drc runset里面一般会标的
OFFGRID check YES ,
offgrid对于所有金属层和dummy层都是应该查的， 从理论上offgrid都有导致周围的线short，open的可能性，
但是有的情况下，不管offgrid 确实也不会引起open，short ， 保险起见，还是都修掉

这种加法对芯片良品率是有好处的。因为在打磨这一步，假设所有的metal2都是纵向的。那么如果打磨不均匀。那么芯片就会朝某个方向倾斜，好比横向，因为打磨的时候，纵向受到的阻力大，横向受到的阻力小。如果用了这种pattern，打磨的时候，横向也受到了阻力，那么打磨的时候可以相对平整一些。
还有一点，是陈小编说的那样，骗过工具。 我们知道，metal filler的 check是用window去check的，如果用左边的pattern，那么metlal fill过不过，就和window的起始点有很大的关系了。很容易出现pr的时候过，
calibre的时候metal fill不过。右边的pattern。就会好点。
不过右边的难打啊，怎么样才能打出这样的pattern呢? pr工具能打出来吗?

因为在加dummy metal时，都事先有space的限制，一般的距离比min space要大得多，在这个前提下，dummy metal的off grid就不应该是问题了。

长见识了
同问，这图2的dummy怎么搞出来?

我晕，表示菜鸟飘过

感觉是couping 的考虑

11#说的非常有道理

学习了~看来还是要好好研究工艺！

图2中pattern在virtuoso用skill语言很容易实现，cadence的论坛skill版块有很多物理实现实用skill脚本，我记得好像有这样的脚本，如有需求可去浏览；

能具体解释一下为什么pattern2能骗过工具吗?
谢谢！

我记得化学机械研磨的时候整个晶圆是不断旋转的吧，脑子里有点想象不明白这两种摆放对研磨时应力的影响。
先生能不能讲的详细些?谢谢

初学者飘过

学习吧！

也没讨论出啥

学习了！

我猜的啊：右边的与下层的接触面积会小很多，因为下层基本上都是横竖方向的，相对而言，影响就会小一些吧........

学习了，都是牛人，后端初学者

我晕，表示菜鸟飘过

是不是面试官也不知道原因啊！叫自己想，不知道怎么自己想啊！

laixuexide

信息量大，受益啊