关于两种power switch cell的一个疑问

可能是nmos电阻较小吧，比pmos
但实际上header用的比footer多，主要是好理解，而且header泄漏小些

nmos主要是电流大，因为是电子导电，pmos是空穴导电，电子导电率要远高于空穴导电率，也因此nmos的漏电流才会大一些；当然pmos也可以做的电流大一些，牺牲一些面积就可以！
不知道后者结构控制效率高这个说的是不是指nmos的电流大，开关速度快的意思

供给同样的电流的情况下，nmos的面积更小。

恩 这个我知道，我想问的是后者结构控制效率高 这句话的意思就指nmos的面积小吗?但感觉面积小和控制效率无关啊

建议看下 英文原版，总纠结中文翻译干啥呢

if use nmos for power switch , sometime need charge _pump
nmos need add vthfor turn on ..

额，你说的这个好像是nmos的缺点吧，还有即使是pmos也需要bump charge啊，也有导通条件的