endcap cell ,tap cell ,decap cell 的功能及原理
如题，在40nm及以下的工艺中需要加endcap cell ,well tap cell ,那么请问它们到底起到什么作用，原理是什么呢?从而引申到decap cell 的功能及原理是什么?
各位前辈帮忙解答一下，非常感谢！
一个一个来，
endcap主要加在block level的 row end（2边） 和上下各一row ， 已经memory 或者其他block的周围包边，看TSMC 40ISF 的介绍，讲了PSE ( poly space effect）和OSE （od space effect）造成的影响，
主要意思是不能让poly和OD周围太空，不对称，密度太低，因此通过加endcap（通常是FILLER2 ，FILLER1没有OD ，不行）来满足均匀的密度， 是的std cell 周围的环境一致，
一般来说对block level是 必须做的，因为在chip level来看必须是一致的密度，
welltap这个就是偏置nwell和psub ， 适应7-track等小std cell， 一般为50~60um一个半径
来加，棋盘式加入， 这个不是40nm的独有， 早在180nm的时候就有了，
decap 就是去耦啊，特殊的filler cell， 可以降低动态电压降， 满足一定的电容值，
gate array类型的decap（比如tsmc的GDCAP）还可以起到eco cell的作用，
40nm就是多了个endcap，dfm更加重视些， 不能用FILLER1了，
我觉得小编说的有点不全面，ENDCAP是用于处理triple nwell的，不一定是指block level，对于多个nwell设计，因为阱电位可能不一致，需要确保每个nwell都是NWELL-enclosed，所以在row的end加上ENDCAP。
对于TAP TIE单元也是需要根据库的类型来决定的，若是每个std cell本身都有阱接触则无需而外添加。TAP TIE单元的目的就是阱接触。
那tapcell 就是给std cell的nwell和substrate提供电源，对吧?
还有个问题，我看到有的document中说endcap cell用于电源分配.这个要怎么理解呢?
TSMC 40ISF ,ISF是什么?
是tsmc 的推荐flow， integrated signoff flow，
你去问他们，肯定有的
主要是为了40nm推出来的， 65nm的不怎么用
tap cell是给nwell和psub正常的偏置电位，不是电源，
相当于加反向二极管，是为了避免latch-up击穿的问题，
有些工艺不需要这个，比如SOI ，彻底消除了latch-up，
endcap分布电源，这个不清楚，要看具体的语境的， 不同的意思
是不是decap?
谢谢你的补充，
我忘记了triple well主要是针对IBM/CP 工艺的吧， 是有个endcap，
加在row的两侧，而且必须row是偶数行，否则没法闭合，
这个隔离各个nwell的endcap和我讲的row end cap, 包边endcap是两码事，
都叫endcap，
tapless stdcell 在小工艺下更多些，主要是能做的小， 节省面积，
40nm下还有带tap的库么? 我看到arm 12track 40nm的库都是tapeless的，要加tapcell，
ARM 12T 40nm的FILL1貌似是有OD的哦，不信你可以去看看，但是TSMC的没有，哈哈。
飘过～～～
谢谢搂主,好不容易找到这个主题,如果能加个芯片版图的截图就更好
可不可以这样理解，
endcap的作用就在于把每条row的N-well包起来。但是这里小编还提到了std cell周围均匀密度的问题，不太懂....
welltap 和TIE TAP的区别是什么呢?只知道TIE TAP是为了给std cell阱接触，提供电压，是这样的么?
DECAP 一般添加的规则是什么呢?比如说28nm的工艺要怎么加这种cell?
还有就是小编后来有提到，有的工艺要求ROW一定要是偶数的，这又是什么原因呢?
入门级菜鸟，问题比较低级也比较多，谢谢小编的回复啦~
有没有详细参考资料提供一下
请问Pascon cell和GA cell也是指的这些filler cell吗?
求document
我当时就是看的EDI userguide
麻烦分享一下啊，谢谢啦！
版大，不能让poly和OD周围太空为什么不能让OD（有源区)和ploy(多晶硅)周围太空 太空是什么意思
学习了！
谢谢各位分享和讨论，学习了
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thanks for sharing
非常感谢！学习了！
14nm下做LVS时出现 vdd open, 加了个well tap就解决了，请问这是因为tap cell需要给周围的stand cell 提供vdd吗
学习了，谢谢
您好！使用HHGrace110nm的工艺，库中没有well-tap cell，但是有tap filler cell，请问：1)tap filler cell是否可以充当well-tap cell?为了减少面积，我是否也可以不加tap filler cell?2)库中没有end cap cell是否可以用tap filler cell或最小的stand filler cell代替?添加end cap cell时是否需要四边都加上?
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