关于TSMC 40nm shrink的问题,请大家不吝赐教!
时间:10-02
整理:3721RD
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我们知道TSMC 40nm工艺是由45nm工艺直接微缩 (Linear shrink)得来的。
那么,如果打算用TSMC 40nm投片,数字部分综合的时候,DC综合得出的面积,是基于45nm下的吗?如果要想知道40nm下的工艺,还要再乘以一个系数?
那么,如果打算用TSMC 40nm投片,数字部分综合的时候,DC综合得出的面积,是基于45nm下的吗?如果要想知道40nm下的工艺,还要再乘以一个系数?
一般是这样的。跟你拿到的lib有关
不需要的,40的flow是transparent的,就是你根部不需要管什么45,40
直接用40的东西做就行了
谢谢指点!
如果是已经使用了40nm的库,那为什么有些人还需要shrink的面积呢?
对这个shrink面积不是很理解,能解释一下吗?
谢谢!
die size * 0.81 ( each side shrink 0.9 )
where?
正解!
我来评价一下,这套库整体不错
小编你好,请问你当时做TSMC40的时候,MOS管最小的Length是取40nm还是45nm?因为要shrink,实在不知道怎么取size。