finFET讨论

现在没多少人做这个的，太先进了，

所以要讨论讨论啊,哈哈！有这方面兴趣朋友可以聊聊！

你先分享下你的经验啊

你看我写的不是说新手嘛。新手就是什么都不懂啊，所以在这里求教啊！

那就不是讨论了，那是请教

目前intel的14nmFinfet较为成熟一些。其他foundry，如tsmc、gf、samsung也相继推出，
umc也会在今年推出，目前在PQV阶段。
做过tsmc和umc的项目，说一点关于process方面的感受。
后端的话，
相对复杂的techfile定义，会导致routing、power极难收敛；
DPT要求底层的配线对应odd、even cycle，当然这些问题你可以在tool中设定制约，但是碰到紧缺的routing source和complexfloorplan，这些问题都会出来并且很难处理，会带来很多负面影响（timing closure等）；
FinFrid的要求，使得floorplan不会像以前那么随意摆放，需要手动调整macro的位置；
extraction RC with DPT effect；
physical verification方面，perfer、nonprefer的routing direction的metal对应不同的width和space，如果加上poor technology file，想要fix简直就是一项体力活；
Finfet技术也带来了一些优点：
Better performance
ION increases substantially on a per unit area basis because channel surface extends into 3rd dimension.
FinFETs have potential performance benefits.
Reduced leakage current
Fully depleted devices have substantial sub-threshold leakage advantage and reduced short channel effects.
FinFETs enable less leaky and more interesting digital circuits.
Meet lower power requirement for mobile device
Voltage scaling
Steep sub-threshold slopes enables lower VTs for same or less leakage and therefore potential for voltage scaling
High density for area save
先想到这些 ，， 有时间慢慢补充 。

pr 工作量剧增，

谢谢您的分享！

比如说呢?谢谢！相对于之前的CMOS工艺，PR增加了哪些工作量?

其实都一样啦， 用到了 就学会了 我觉得都是PR哈哈

同样还是对衬底进行反型控制开关，如何避免段沟道效应的?

网上有好多的finfet库，FreePDK15, Nangate 15nm Open Cell Library 和 ASU的PTM model cards，还有BSIMCMG,大家有没有谁用这些库设计电路?

Finfet到底有多少种结构

finGrid似乎对floorplan有限制

FINFET的关键是理解device原理，为何要折叠

Leakage and moore law is key concerns

您好，想问一下现在正在初步学习FinFET的阶段，想先弄懂FinFET的operating principle，从哪本书或者哪些paper开始入门比较容易上手呢?

公司马上有一颗 16nm CPU tape out， 表示FINFET 相比其他工艺只是多了一些layer，没什么太大区别。

沟道形状有变化，DRC修改量剧巨增！

结构发生了很大变化，增加栅对沟道的控制能力，有很多性能提升，但是工艺兼容性好。