修antenna的时候不能往下跳层，从工艺上怎么解释？

往下跳线的话，芯片在生成metal的时候，当source/drain未通过top metal连到poly之前，电子还是会往gate上聚集

我个人理解可以往下跳，但是低层金属不能直接连到poly上，要再跳到高层连下去

假设说一条金属3层的线出现了antenna。就是说连到gate上的金属3层的面积超过了范围。解决的办法就是将金属3层的面积缩小。保持最小线宽，缩短长度。将这条线截成两段，往高层（4，5，6...）跳。在工艺生产金属3层时，这两段是断开的，因为高层的金属还没做。这样连到gate上的金属3层的面积就变小了。但是如果往低层（1,2）跳，在生产金属3层时，这两段通过低层金属连接在一起，其中一段金属积累的电荷会向另一段传递，从而又积累到gate上。因此，往低层跳没解决问题。所以跳层只往上跳。

同意，楼上

可以参考这里 非常硅博客 http://t.cn/aKqWIN 有图片，解释的更清楚
小编要先理解antenna产生的原因以及芯片制造过程，这样你就能理解为什么往上跳了。 产生antenna要有两个基本条件: 1，antenna报错的metal连接到了poly上。 2，antenna报错的metal 面积比相对应poly的面积大，超过了design rule.antenna的是制造metal连线的过程(印象中是etch这一步)中导致的metal电贺积聚，每次生产完这一层metal还会进行清洗，这一步会释放掉本层以及一下层所带电贺，以此类推。所以，这个只是制造过程中的一个阶段性的产物，能够在制造这一层的时候避免掉就OK.
比如Antenna现象是由于Metal 2比gate poly面积大太多倍，那么我在Metal 2靠近gate的地方切断这根Metal 2向上跳了两层用Metal 4再将其连接起来，这样在制造Metal 2的时候就只有一小段Metal 2是和gate poly连接的，其余部分呢只有到了Metal 4造好后才会连起来，那时候Metal 2上面的电贺早释放了，当然也就不会有影响了。 不知道将明白没?呵呵

明白了

有一个带图片的，解释的更清楚http://t.cn/aKqWIN

没有人觉得向下跳线也可以修掉的?

感谢各位~

往下跳或往上跳是相对的，看你在哪个位置跳线。假如在gate附近真的没地方，没办法往上跳线，那就在靠diffusiong附近往下跳。也就是相对来说，靠gate附近的layer相对diffusion附近还是高层金属！更有利于在刻蚀，金属上过多的在没到达gate时，已经向diffusion放电了！

理解了就行了,如果attenne比较严重的话,上跳层以后,可能attenne转移到上层金属了,那么你就得再跳下来,

这样做是否没有从根本上解决问题?而是把第3层金属的antenna effect转移到了第4、5层上?

理论上讲向下跳也是可以修复antenna的，如果M3长度是1000，超过600会有antenna的影响，那么我们可以跳到M2走400，因为工艺上每做完一层都会有放电处理，所以真正影响的M3不超过600。但是手动跳线很难有足够的空间给你走如此长的线，所以向下跳线理论可行但是很难。
而向上跳线还有一个原因，就是顶层金属一定会连到diffusion，这样顶层金属一定不会有antenna的问题。

thanks for share！

可以向下跳。但是这个要求比较高，必须同时满足当前metal层总面积不能超过antenna的要求。如果往上跳，只要保证连续的这段metal不超过antenna的要求就可以了