后端面试题工艺方面的

面试官的意思是问这些工艺在后端设计时flow的不同吧。
要我答“.18, .13， 65nm， 55nm，这些工艺在后端设计时，有些什么不同的?”
就答后端设计时这些工艺的flow的不同点。
扯不上foundry。

这个题太大了吧，要是把每个尺寸不同点都说下，再解释清楚流程，一两个小时没了。

这道题另外一种问法：
55nm、65nm、0.13um 0.18um的design在PR、PV、signoff中分别有哪些区别?

你要了解所面试的公司，是做正向p2R还是反向的，再回答，如果是做反向的，你的回答可能不是别人想问的。
不同的方向理解的流程是不一样的。

这可问倒我了，只做过65,40,28的怎么办?

小编牛X，我们这些小同学还有好多要学呀

那你的理解具体有些什么呀?

持续关注！

怎么没大神来回答一下啊。期待中

大致有下面几类
1）layer的层数，厚度的不同，对route的限制越来越多，20nm后，出现double patten
2）cell的种类增多，各种Vt，track，channel length，从40nm以后，有温度翻转的现象，16nm用到了finFET 技术
3）做后端时，max transition，length，fanout，cap；OCV，derating，xtalk，EM，IRdrop，shielding的要求变得严格。signoff corner越来越多

学习了 感谢小编！

这个问题包含很多内容， 有些知道的可能都没想到，一下说不全

期待答案

感谢小编的回答！

马克，以防以后被问到类似的问题！