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请教scale工艺应该怎么做?也就是SMIC130nm如何转向110nm

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
现在我主要想了解SMIC的半世代/scale/微缩工艺(这个叫法也不确定常用哪个),尤其是SMIC130nm的SoC设计如何转到110nm工艺。查找了一些这方面的资料,貌似比较少啊……也就只找到一篇TSMC的美国专利文章。
看了看TSMC的专利文献,看了之后也懵懵地,那篇专利里面说TSMC会提供新的库文件来着。
我找SMIC技术支持联系过了,但是对方说SMIC所有可以提供得库文件SMIC NOW网站上都有。我看了看也没有与110nm相关的文件,那到底该怎么做呢?
尤其是一个同时使用了SMIC130nm PLL模块、SSRAM模块和standard cell设计的数字电路的设计如何转换。

GDS shink 0.9

但是,PLL是一个模拟模块,shink之后它的功能怎么保证?而且一般而言shink之后时序会变好,建立时间还好说,但是保持时间怎么保证呢?

analog 的 ip可以选择不shrink。同时digital的std等的时序信息一般foundry会给。不是直接gdsX0.9

重新跑仿真。

像smic和gsmc都有自己的shrink 流程 ,里面也有说明哪些模块可以shrink 0.9倍,如2楼所说。
但是一般analog ip都不会被shrink ,像pll osc之类的模块。
一般先把pll osc之类的模块先放大1.11 倍,然后在shrink 0.9,这样就得到与原来一样大小的了。

谢谢你的回复。
不过,能不能再说清楚一点:这个GDS的放大和缩小都用什么工具,在什么时候做呢?
另外,SMIC的shink流程的资料哪有啊?我把SMIC Now可命的翻也没找着的嘞……

layout直接在virtuoso里面放大缩小就好了。或者用calibre写脚本做shrink。
这些shrink的过程没有什么特别的,smic的shrink 例如0.18 --> 0.162digital的不就是直接shrink,这个shrink的部分是smic给你完成的。你需要做的是将不需要shrink的部分,放大1.11倍,让后通过drc lvs 就可以了。

真的非常感谢!
另外,我说一下我对大家回答的理解,不知道对不对,帮忙指正一下:
以SMIC130nm PLL为例,将PLL的GDS导入virtuoso中放大1.11倍,然后将综合用的库文件重新生成一下,然后重新生成Milkyway数据库文件,在ICC中使用。ICC启动时设置scale factor,并使用110nm的StarRC文件,然后做完整个后端。

如果象楼上说的,SMIC的流程还是有点麻烦,tsmc都是直接提供新的timing library, GDS不改动, IP的缩放貌似由vendor搞定, 整个gds最后由tsmc来shrink 到90%

VFJKDGHKJ

6#正解

回复 6# conniezhou

这个放大有个问题就是孔不能放大,制造工艺是11的,孔放大再缩小0.9就还是13的孔大小,用11的drc规则过不去,怎么解决?

遇到相同问题,应该怎么操作?

放大后,边贴边的线会断开,这种情况怎么解决的?
Contact、Via会变大,DRC 过不了,怎么解决的?
谢谢!

我们走过smic65和smic55的流程。所用的design rule是一样的,模拟设计仿真中需要设置scale为0.9。对于数字设计来说,foundry会给不同的library,65 55分开给。所以数字部分我们会用不同的library来做,但是模拟部分我们做好65的layout,55的会直接用,drc一般都没有问题。在foundry tapeout时候,我们会在55里注明shrink到90%。也就是layout在做的时候是shrink之前的,shrink的工作foundry会做。给你的die的尺寸是你layout长宽的尺寸的90%。

求calibre 脚本

已经画完了的版图 怎样size up呀?

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