guardring
有几个关于guardring问题想请教一下
我的理解是guardring主要作用给衬底充分接地，防止模块间信号的相互干扰及闩锁效应。
guard ring的结构：
衬底接地环（A环）：画p+ -> poly -> ct -> metal1 -> via1 -> ...-> top_metal. 然后将top_metal连接至接地。
阱区接高环（B环）：画nwell ->poly -> ct -> metal1 -> via1 -> ...-> top_metal,然后将top_metal连接到VDD。
疑问：
1、由于多晶硅主要用作栅，库中没有多晶硅与衬底相连的接触孔。因此guardring不包括多晶硅这一层?
2、guardring主要有三种?关键模块（PLL等）的guardring；pad和core之间的guardring，芯片pad最外围的guardring。
芯片最外围的guardring如何接GND，VDD，直接接到pad的bonding上么?这是否会影响到封装时的引线?
顾名思义， guardring就是起到隔离作用的， 在pad、analog layout里面用的很多，
主要是接地，形成隔离层，
谢谢！那是不是说在pad里已经包含guarding，整个芯片最外围的guardring（pad的外边）不用画了?
pad 里面一般都有guard ring， 模拟模块也应该有的， pad的guard ring还有消除ESD 的效果，
guard ring有很多种，如你所说， N+ , P+ , 都是tie到vdd/vss ,
至于pad外边的 那个叫 seal ring，是起到和别的chip 区分的作用，
外面还有一个 scribe line， 是切割机切的边界，
?guardring要poly干什么?
谢谢大家了。
我在一些资料上看的guardring主要有两个作用：1、给衬底充分接地。2、用导体环把关键module围起来，起到减小模块间干扰的作用，所以把多晶硅层加上去了。
seal ring?这是什么结构，要手动画么?
sealring包含所有层。手动画不手动画看你的foundry。
sealringfab PDK里面有的， 自己也可以画就是
?既然是衬底隔离，要多晶干嘛?加入poly那么衬底注入面积就小了，也会影响隔离的效果，难不成是为了要个cap，还是npn?
，没考虑到poly会影响到衬底掺杂
明白了，谢谢大家！
学习了，感谢
芯片最外围的guardring，PAD库中有
PVSS1APWPAD_VSS_gard();
定义guardring的接地PAD，
还有PVDD1APWPAD_VDD_gard();
PVSSxAPW 的选择，是根据输出电流大小来确定
接在模拟地上的guardring，可以通过绑线直接连在PCB底层。电源可以共用，也可独立输入。
guardring
学习了。谢谢