请教关于endcap的作用

endcap 不是所有工艺都需要加的，一般TSMC要求，工艺在40nm一下需要加endcap。加endcap的主要目的是避免或者是缓和PSE，OSE所造成的影响，意思就是不能让poly和OD周围太空旷，不对称，密度太低。主要是从DFM上考虑的。

对，主要是会影响器件的性能，
TCD 等cell 也可以包一圈 endcap啊，按理说所有core区域的macro 都要包一圈endcap的，
以保护其他周围区域的stdcell的 性能，

请教大侠，OD是什么意思呢?

氧化层

Oxide Diffusion(氧化擴散曾)

据说40nm及以下需要加endcap