max_capacitance的修复问题

从一开始就存在一个我们自己设计的存储器IP的端口的max_capacitance违例，我开始没管，做到CTS优化后，违例依然存在，但是没有建立时间和保持时间的违例。尽管工具已经修复了，但是最大的CLKBUFX20这个buffer的驱动能力依旧无法修复那个max_capacitance（大概200多，而CLKBUFX20的最大电容只有2.0），请问这种情况，还有什么方法能够修复的吗?求各位大牛指点，谢谢！

先去确认你的contraint是不是合理的吧

200ff还是200pf?IP的边界很模糊的，建议到ip里面看看

首先我觉得这个200多就是pf，因为对应的那个2是pf。我查看了制作macro的lib文件，里面写的电容是0.1pf，所以200多不像是macro端口的电容，还是没有弄清楚这个200多的违例怎么出来的，不太清楚应该怎么找根本原因了

max_capicatance的约束不设置，不就是默认使用标准单元库中给的每一个cell中的值吗，比如说CLKBUF20的max_capacitance是6.3，global max_capacitance是2，那我没设置max_capacitance在sdc文件中，则约束条件应该是2.我不太清楚前辈说的约束还有别的吗?

小编您好，我查找原因后觉得制作milkyway各式的macro有问题，就打开了.lib文件，内容如下，想请问下小编，如果只想给macro指定一些电容属性，而不指定其他时序，那么lib这么写是否是满足要求的?我用这个lib转成db格式，milkyway中使用gepreplib命令生成LM的时候说file is not a db file ?您能给我指点下这个问题应该从哪个方面入手去解决吗?谢谢您，冒然打扰，还望见谅！

可以， 手写的简单的lib都是这样的， 0.1pf还算正常吧，
你可以参考下其他正规的memory的lib看看， 自己写的不放心的话
用icc不需要LMview了，这个是5年前的事情， icc可以直接读db的，

谢谢小编每次都能耐心回复，我虽然还没有找到明确的原因，但是可以猜测是我们IP制作的有些问题。待我找完工作，一定把自己所学整理下共享给大家，为论坛做点贡献！