做lvs,std被打散
1不用这个出问题的单元会出来其它的么?
或
2指定hcell的list做验证。
我做了一个实验,
1.不用x8的decap,结果x13的被打散,总之就是最小的size的decap被打散
2.不用decap,只用filler,lvs pass
我把reduceseries mos 和reduce parallel mos都关了
我用的是gf55arm的库,有人碰到类似的问题吗?
我觉得问题在与可能你写出来的VERILOG里面没有这个CAP
你去CALIBRE LOG里面 搜FLAT,会提示是为什么被打散
或者你把LOG给我,我帮你看看,可以把log发这个邮箱snakkewang@gmail.com
你的hcell.list 怎么写的, 左边和右边写一样就行啊,
如dcap8dcap8
dcap13dcap13
gf55 arm库我应该用过的,,没发现有这个问题
我是这样写的hcell
看了下lvs的log,里面有这一段不是很明白
TENTATIVE SEED PROMOTIONS :seed layerseedcell:layers touched
TENTATIVE SEED PROMOTIONS :------------------------------------------------------------
TENTATIVE SEED PROMOTIONS :nfet_dev_ps1FILLCAP8_A9TRnsd
TENTATIVE SEED PROMOTIONS :nfet_dev_ps1ICV_3nsd
大不了不带dcap的hcell好了,hcell可以适当调整的, 为了pass lvs,
然后你再run个flat lvs,(不带hcell的),更加确认下就行
带不带dcap的hcell lvs都过不了,只有不用dcap才lvs pass
不晓得是不是库和rule不是对应版本的原因,库马上要更新了,等更新了再看
这个比较奇怪,怀疑你的 spice netlist出问题了吧, 导出了dcap么? 数量都和layout里面一样么?
我感觉是extract的原因,比如dcap 8 ,spice netlist里面是4个mos管, gds里面看也是4个,抽取出来却只有两个
但是,gds里面第一个和第二个gate的poly 有一端是连在一起的,第三个和第四个也是,但是呢连在一起的地方没有OD,我不方便贴图,大概就是这样,1是od,o是poly
ooooooo
oo
111o11111o111111111
1oo1
1oo1
111o11111o111111111
oo
你单独做这个cell的LVS能通过么?
不是很明白你说的具体的情况,但是建议你修改lvs rule试试:
LVS REDUCE PARALLEL MOS NO/YES
LVS REDUCE SPLIT GATES NO/YES
红色字体选择一个,再试试看,看哪个好用。
缺省都是yes的,即reduce的,
建议单独对dcap做下lvs,旁边加上filltie单元