关于cell的HVT、NVT、LVT与cell的功耗问题

cell的VT应该与cell的功耗有很大关系，阈值电压越高，功耗越大，同一种cell的了leakage_power应该是LVT 〉NVT > HVT,
可是库中的定义严重摧毁了我的世界观，HVT的cell竟然比NVT的leakage_power要大?！如下图，
烦请大大们指导一二，不胜感激！

自己顶起！

看看CDL里调的是什么管子

leakage和温度，corner有关系的，不是一层不变的，
这个问题直接问lib vendor啊，
有的值也不准的，

leakage和温度，corner有关系的，不是一层不变的，
这个问题直接问lib vendor啊，
有的值也不准的，

谢谢，
请问老大：如果是相同的PVT等外部条件，HVT的leakage_power应该是比LVT的低吗?
还有：leakage_power就是指静态功耗吧?LVT与HVT的功耗相比，是动态功耗增大还是静态功耗增大?

温度，corner还有gate length等等都会有影响。其他条件相同的话应该是hvt<svt<lvt。

建议问问ventor吧把消息告诉我们

不能这样简单比较

相同PVT下面是HVT<RVT<LVT的，而且相差还很大，你问一下vendor,我也想知道，请问是什么工艺?

55的工艺

问过了！他们说还要综合考虑其他方面，还有，阈值电压也是会影响动态功耗的！