讨论65nm以下工艺的Timing Signoff的问题

发个这么个话题，大家起来来讨论讨论这个问题。
Agenda
1. 温度反转
2. Timing Library的timing误差
3. EDA工具的计算误差
4. OCV
5. AOCV
6. OCV vs. AOCV
7. Timing Corner的及其RC 模型的选择
8. SI的Timing Signoff

温度反转，
这个问题我个人觉得很简单，这个是由工艺决定的，所以在Signoff的时候要注意，在A corner下Signoff的时候，注意是0C下的signoff还是110c下做signoff,选取的原则是在同样的一个SDC下，那个温度下的Violation多，就用那个温度来做Signoff

Timing Library的误差
在Foundary提供的Lib里头，大家觉得他们提供的数据是可靠的吗?
记住千万别相信他们，哪怕TSMC提供的数据都不可靠，最可靠的是自己，如果你们公司有那个实力跟财力，可以自己做Library，千万别相信这些Foundary。否则你们Signoff出去的Chip回来的时候看到的东西会很崩溃。
当然老工艺除外，那个东西经历无数次的实践检验，会有很大的改进。如果是走新的工艺，这个问题就自己考虑了。

EDA工具本身的误差
EDA工具本身是有误差的，大家做Signoff的时候考虑过这个问题吗?
基本上咱们可以相信的值是来自于Spice，Hspice Or Spectra。
因为这2个工具得到的值基本上接近于真实的值。
如果Signoff用的是StarRC + PT， 那么就要考虑StarRC得到的RC信息与Spice得到的值得差别是多大。
Pt呢，也要考虑其得到的Timing的值与Spice得到的值得误差。

4. OCV

5.AOCV
AOCV是OCV的一种，在对Data Path或者Clock Path Apply OCV的时候，OCV的方法并没有考虑到对不同Logic Level的 path来说，其OCV道值是不一样的，而AOCV完全考虑了这种问题，也就是所AOCV更接近于实际的值。

6. OCV vs AOCV
OCV vs AOCV
Pt能够利用Graph-Based和path-based的方法来分析Timing，较于后者，前者分析的方法更保守些，基本上大部分人分析TIming都是用Graph-Based的方法来Analsys timing.
OCV是利用统计学的原理得来的，OCV在Corver Lonth Timing Path 的变化的时候是比较好的，但是对于短的Path，还有些不足,那么是否有一种能够根据Path的长短来+ocv的方法呢?有点，AOCV就是这样子的一种方法。
AOCV有2种方式来考虑OCV到问题，一个是一句Path Level来+OCV, 另外一个是根据Distance来分析的, 依据Path level来+ocv，这个应该很好理解，下面就是有这么AOCV的File
==========================================
version: 1.0
object_type:design
rf_type:rise fall
delay_type:net cell
derate_type:late
object_spec:
depth:12357919
distance:500
table:1.06321.04761.04051.03481.03141.02931.0264
===========================================
而对于用基于Path Location的来说，就要查2D的表格了。
====================================
version 1.0
object_type: design
rf_type: rise fall
delay_type: cell net
derate_type: early
object_spec: top
depth: 0 1 2 3
distance: 100 200
table: 0.87 0.93 0.95 0.96 \
0.83 0.85 0.87 0.90
======================
200 |0.87| 0.93| 0.95| 0.96
--------------------------------
100 | 0.83 |0.85 |0.87 |0.90
-----------------------------------
|0|1|2| 3
为了得到Location，就要让StarRC Dump出 每个Cell的Location，然后再Pt中，都SPEF或者ＳＢＰＦ的时候把Location load进去。
这样子就有一个问题了，为得到Location，StarRC Dump SPEF的速度变慢了，同时Pt在Load SPEF的时候也变慢了。然后Pt要根据这些Location，计算Net的长度，不停的进行计算。试问一下这样子的结果大家是否想要呢? 事实上Location Base 的方法分析出来的值跟path level分析出来值没有什么差别。
在利用path level based的方法分析Timing的时候，这个东西是用在Clock上呢，还是用在 data path上呢? 这个问题大家可以考虑考虑，或者有那个条件，可以试试，自己跑一下Timing分析，一切就知道啦。

7. Timing Corner的及其RC 模型的选择

SI timing signoff

65以下的必须考虑OCV了

OCV 这个是必须要考虑到问题，在0.13也得考虑，在28nm的时候就要考虑是用OCV还是AOCV了，原因是工艺本身的问题，28nm的Design比65 55 45 40的还要复杂

嗯，刚做后端设计，不过一来就做40nm的，对很多还是不太熟悉，多谢指教哈！

好贴留名，marked

AOCV 大家都用么，从65nm就开始用?
path_based PT 大家有么， 各个公司都不太一样
path base 更乐观，好，

good good

AOCV 和path_based结果，谁更准确些?

AOCV 只在28开始用
40～65，用OCV+ Hold Margin即可，用AOCV的代价大一点，主要是RunTime，Pt跑出来的结果差别不大。
Pt Default 的是用Graph Base的分析方法，Path Based的太悲观了。

学习。

学习了！谢谢经验分享！

小编能提出这个问题和思路，绝对是8年以上的老鸟！

哈哈打击你一下，我后端工作2年，前端1.5年的样子。
离8年还差老大一截呢。

学习了

请教一下OCV的几个问题
1 看PT manual， OCV 和BC_WC的区别不是很理解，只是表现在setup时，OCV计算capture用min delay么?
2 有几个概念有点混淆 比如对于Max delay我的理解是 一个cell或者net的max_delay = 在worst case下面的最晚到达输入或者最大的transition导致的delay ，所以timing arc的max delay就是由以上的delay构成，这样理解正确吗? 这个在OCV下面有改变吗，除了要乘上一个derate系数?
3 OCV 整体上来看，给我的第一感觉就是过约束，大家对它和工艺上的对应有什么自己的看法吗?
初学PT，希望能够不吝赐教~

thanks...

学习一下

标记一下。谢啦

温度反转什么意思，难道温度上升电阻还下降吗?

Signal Integrity related issues are more in lower technologies！

No Cells Landlord！

path based应该是比graph based乐观吧