PSE，OSE TCD cell
时间：10-02
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PSE，OSE TCD cell这些概念是什么意思啊?
PSE: Poly space effect
OSE: Oxide space effect
TCD：Thermal conductivity detector（这个我不确定，是在网上搜索的结果）
是不是开始做28nm了?
PSE，OSE是40nm下必须要注意的效应，指的是po，od必须要更均匀些，不允许有太空旷的地方，
pr的时候注意加endcap即可，
TCD是technology critical dimension unit的意思，指tsmc拿来做工艺校准用的，
一般芯片里面会均匀的放一些，做为工艺调节和基准点，
您好，可以解释一下PSE 和OSE的原理吗?非常感谢。
不记得了，要问tsmc