DRC验证时，调用的存储器内部出现违例

memory compiler重新生成下，top metal不要定义为m4，可以m5/m6/m7。均可。

哦，应该是，我这个设计用的6层工艺，但是存储器top层设在M4，但是现在我打开MC，发现只有一个M4的选项，top层不能选其他的，这个是什么问题呀

主要是 RFTP RFSP这两种存储器只能选最高M4

额，版大，我自己想通了呵呵，问题解决了，不太好表达，我这里就不写了

哈哈，解决了就好，我说的情况是通用情况，就是TV的size比普通的大，所以规避过去就行

请教下，MC 的工艺文件中是否有与温度相关的部分，比如商用的memory的工作温度是否一般也限定在0~125度，如果我想将这个温度扩展到-55~125度，有什么建议吗?标准单元我可以在ncx下用Hspice重新仿出来

电压温度都会涉及到，跟stdcell的timing lib一个意思。
如果扩展温度范围的话，这要看你有没有对应的仿真model来对应，不然谁也不好说那个温度下的mos管子是什么特性，出来的东西靠不靠谱