LVS mos打散 过不了 PDK

（1）为什么MOS管没有打散LVS没有问题，，打散后，就过不了呢?
求解答，谢谢。
（2）假如mos管是自己画的，不是工艺厂的PDK里面的standard cell。跑LVS怎么可以过?是不是我的设置有问题?

lvs 报的什么错?

什么工艺?
确定只是单纯的打散吗?没有少层次?

严格来说，同样的版图，无论是hierarchy还是flaten，LVS抽取出来的器件应该不变，因为制造出来是一样的。

后来找到什么原因了吗

1自己仔细查一下是不是少了什么层次在打散的过程中；
2模拟版图有些mos管就是人工画的，没有pdk可用，还是一样的过LVS

应该怎样设置LVS?

只要你mos画对了，器件网表提的出来，这个你原来怎么跑lvs就怎么跑lvs啊，