微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC后端设计交流 > smic018设计规则中关于butted diffusion是怎么回事

smic018设计规则中关于butted diffusion是怎么回事

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
在看smic018设计规则中看到了一些关于butted diffusion的规则,不明白怎么回事,以前没有碰到过,例如p diffusion和n diffusion 对接这一起,请问为什么要对接起来,还有在什么情况下来可以让p和n 有源区对接起来(就是在什么情况下使用到这条规则)



这里的p+AA以及n+AA就是有源区,sp 、sn是p implantation and n implantation

比如说,衬底到器件就会对接

是说s极接到电源或地上?

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top