微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC后端设计交流 > 请问TSMC65工艺下Memory之间的间距如何设置?

请问TSMC65工艺下Memory之间的间距如何设置?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
请问TSMC65工艺下Memory之间的间距如何设置?
用的是1P8M
模块里面有20多个Memory,请问Memory之间的间距如何计算呢?
与哪些因素有关?
求大虾指导

没啥讲究,满足min spacing(1~2um
)即可,

主要看你的Mem pin 数量和用哪几层走先,可以大概地算下!

今天问了下人,说是要根据MEM的PIN数量,然后各层能提供的走线资源(层的线宽,间距),计算这些pin要用的距离,然后算出一个最小值,加上mem pin插入的DCAP,估计一个间距。
当然,utlizition不高的情况下,这个间距可以随意大点

差不多基本就是留够routing channel
一般是0.5~1 track per pin即可
mem pin插入的DCAP? DCAP对std而言吧,这个不知道咋加
如果是LP的,留够Power Switch cell的位置是有的

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top