关于电迁移的问题

没有人做这方面的吗?
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电迁移产生的因素主要是电流密度过大，这可能导致连线电子空隙或接触孔处产生电子堆积，从而引起导线电阻增加甚至短路。
建议：根据电流大小调整线宽，多打接触孔

鄙视小编..

一般要遵守design rule上关于metal density的rule。

绕线的时候有个选项的，可以避免EM

避免大电流从细金属线流过。一般就是加宽金属线吧

主要是power route上 的EM比较严重， 当然高速信号上也有可能EM violation，比如超过500~600Mhz，的时钟线上，
防止EM的最简单方法就是加大线宽啊，比如 2 width clock net
对于power route， 加大宽度和增加供应也是对的，比如走多层金属布线，
个人认为没必要注意EM啊， 一个芯片能用几年啊，如果EM都好， 大家不要做芯片了，
一个芯片用100年， 哈哈，开个玩笑

EM随着温度升高，发生的可能性加大，
高温高压 是 EM 最critical的corner了， FF corner

一般情况下工艺上就直接处理了铝线容易产生 但是工艺一般用的都是掺杂铝 比如参铜
减小电流密度 还是要加宽些好