关于hot well或不同电位阱的间距问题请教。
以及design rule上一般规定不同电位阱的间距也比较大，并且往往有经验工程师在不同电位阱之间加ptap（以nwell-psub工艺为例）做隔离，请大虾能否给个明确的解释为什么要这样做?有何潜在风险?是为了防止什么效应?
hot well 表示是 NWELL不等電位 放在一起會形成 NPN寄生結構 如果瞬間兩個NWELL間的 Psubstrate電位往上彈 或是瞬間某一個NWELL電位往下拉 會形成寄生 NPN 導通 如果NWELL截面積很大 衝過去的電流會很可觀 這是很危險的 要拉開距離
请原谅一个我的低级问题，拉开距离在原理上是从哪方面降低NPN导通风险的?
讨论得很深入，学习了
好比一个NPN的三极管，基区拉宽了，增益就降低了，即便偶尔触发导通，只要不形成正反馈，最终也会截至
增大R....
我之前还觉得可能会有潜在的场开启的风险，
这个解释说得长见识了，谢谢
其实这里边一直有一个问题在困扰我，即在一个特定的工艺下，这个寄生三极管的增益能否出现小于1的情况；在这个问题中所提到的寄生NPN也还罢了，假设推及到一个PNPN的LU结构，我理解只要β乘积大于1，那么无论是1.5还是150，在上电的情况下，同样的trigger电流都会造成latch up的导通；如果β能够通过拉开距离达到小于1，fab一定会给出具体的尺寸的，这个对LU是绝对的安全值。
所以我总是想不清这里边的道理，只是觉得常规工艺下β似乎没有能达到小于1的情况，作为layout人员实在是不懂电路了，请楼上和各位高手不吝赐教，我也自己去找找书看。
在某些情况下是可以适当偷一点规则的
想尽办法破坏潜在的寄生效应...
画图只能修改几何结构，通过控制横向参数：避免出现寄生器件（比如寄生的mos）；对于npn或者pnp这种天然存在的东西，破坏其基本功能，通过配电的方法，或者破坏base的基本功能（扩大base的厚度，使收集区无法收集到少子）；同时还要注意避免发生击穿……抛砖引玉
对于不同的供电系统，解决问题的思想是相同的，但是具体的数值一般不会相同。
设计规则本是为了简化版图设计的。每一条设计规则都有来源，但是这些来源是大杂烩，设计的具体内容非常多，如果画图很多年，建议还是逐一研究一下，都搞懂了之后，再看版图的时候会是一种完全不同的境界。
经典贴 顶一下
当然是为了防止latch up
謝謝分享
谢谢分享
这个贴很有价值，值得讨论一个星期！