DRC LUP.6g
时间：10-02
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DRC一直有这样的错误
LUP.6g { @ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= ^LUP_6g um
@ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= ^LUP_6g um
@ In SRAM bit cell region, the rule is relaxed to ^LUP_6g_SRAM um
PACT_CHECK_NON_SRAM NOT NSTP_OS
PACT_CHECK_SRAM NOT (NSTP_OS OR NSTP_OS_SRAM)
NACT_CHECK_NON_SRAM NOT PSTP_OS
NACT_CHECK_SRAM NOT (PSTP_OS OR PSTP_OS_SRAM)
}
连single transistor也会有。 让我纳闷
除了改DRC规则成这样,实在无头绪：
//PACT_CHECK_NON_SRAM NOT NSTP_OS
// NACT_CHECK_NON_SRAM NOT PSTP_OS
有人知道该怎么办吗
LUP.6g { @ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= ^LUP_6g um
@ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= ^LUP_6g um
@ In SRAM bit cell region, the rule is relaxed to ^LUP_6g_SRAM um
PACT_CHECK_NON_SRAM NOT NSTP_OS
PACT_CHECK_SRAM NOT (NSTP_OS OR NSTP_OS_SRAM)
NACT_CHECK_NON_SRAM NOT PSTP_OS
NACT_CHECK_SRAM NOT (PSTP_OS OR PSTP_OS_SRAM)
}
连single transistor也会有。 让我纳闷
除了改DRC规则成这样,实在无头绪：
//PACT_CHECK_NON_SRAM NOT NSTP_OS
// NACT_CHECK_NON_SRAM NOT PSTP_OS
有人知道该怎么办吗
是不是没有加pick_up?
或是 pick_up 太遠
楼上正解
@ Any point inside NMOS source/drain space to the nearest PW STRAP in the same PW <= ^LUP_6g um
@ Any point inside PMOS source/drain space to the nearest NW STRAP in the same NW <= ^LUP_6g um
这不是说的很清楚了，mos离sub的距离 不能大于 LUP_6g 这个值了，你查查drc command file里面，定义 LUP_6g这个值是多少?
tsmc工艺库吧?
lvt的管子在drc前，需要检查是否加了电源，不然会报这个错误
我也出现了这个问题，原来是因为我设置成straps下不放置stdcell，再改可以放置就没有问题 了。
看看 规则的定义吧
看规则定义可以解决问题吗?
和tapcell有关系吧，tapcell设置成符合规则应该就可以了吧。
请问如何设置，出现同问题，小白一枚，感激不尽！
我也遇到了这个问题。能不能说说具体操作啊。非常感谢！
你后来解决这个问题了吗?如果解决了，能不能说说具体操作啊。谢谢！
层主，我用的就是stmc.18工艺库，遇到了这个问题。应该怎么解决啊?楼下说的解决办法是：设置成straps下放置stdcell就没有问题 了。
你知道怎么设置吗?
latch up error,在LUP_6g距離內應該要有tap
遇到同样的问题，求教具体解决方法
PMOS我就在NWELL里面打了via， m1 到NW.
NMOS 就 就近放M1到sub的via