mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？
源区相当一个小电阻起到降压振流的作用, 可防止大电流从漏端进来影响到POLY.
学习了！
请问这和拉大漏端距离有什么关系?
漏端上的接触孔到POLY的距离大了, 这部分的源区电阻就相应大了, 可以起到作用了.
将漏区拉大，是为了增大漏区的电阻，从而能承受更大的电压。
我知道一定的电阻可以钳位电压，但是esd主要是说如何泄放大电流的问题吧！
漏区的距离大是为了保证可以形成足够宽度的漂移区以承受电压，这是非对称的管子
2楼说得对，增加漏端的距离是为了使漏极的串联电阻变大，相当于在ESD的引脚上串联了一个镇流电阻，从而使管子承受更大的击穿电压！
这么说增大漏区的间距是因为电压的关系?esd的电阻应该不大，相对大电流来讲，电压应该不是主要的关系吧！那天我问了下我们的工程师，他说主要是增大间距其实就是增大漏区的面积，也是增加大电流的泄放通路。这个解释我觉得还是有理。不过还是谢谢各位。
增大漏区的间距,相当于增加漏区寄生电阻，实现镇流作用。保证多个finger同时导通，不会出现局部电流密度过大产生Si体晶化形成局部热斑而造成ESD器件失效。对于GGMOS做ESD器件，最难保证的就是承受ESD应力时能够同时导通，通常对于4KV JEDEC标准的ESD要求，会给每个finger增加一段nwell 电阻实现镇流。为什么选用nwell电阻呢?用poly不好吗?nwell电阻有一个很好的特性：因为具备速度饱和效应，nwell电阻在接受ESD应力时候，阻值会变小，从而自己保护好自己，poly电阻是不具备的。同样的道理，我们可以解释，类似高压管的漏区要做在Deep nwell当中，提高耐压，提高承受高压应力的性能。
一
ESD器件在ESD状态下要泻放很大的电流（1.33A for 2KV）,那么这个ESD device需要承受很大的power(=Vh*Iesd),所以拉大间距是让它有足够的size去耗散很大的power，让ESD在泻放掉之前产生的热量不至于把铝线熔化掉（铝的熔点是580～740C, 硅的熔点是1400C）.
二
拉大间距是为了增大drain端的电阻，尽管我们希望ESD路径上的电阻越小越好，那么ESD器件本身的耗散的功率将会很小，但是ESD器件由很多个finger组成，所以每个finger不可能同时被trigger起来（NMOS的均匀性最差），所以这个电阻是为了改善ESD device导通的均匀性而加入，在书里这个电阻应该叫做ballest resistor
拙见而已，欢迎指正
谢谢jian1712，我也再次问了下我们的一个工程师，它说拉大漏区可以增大漏区电阻，这样寄生的BJT可有更高的电位，使BJT导通，这样也能更快的泄放掉漏端的大电流。漏区的增大，有很多有利因素，只是在那一瞬间看什么原因起主导地位。
受教了，很有用~
mos管和三极管做ESD保护管 时是不是等效二极管呢?他们比单纯的二极管有什么优点啊?那位大侠说下，先谢了
众人拾柴火焰高啊！
自镇流、增加散热、增加寄生管导通都很有道理！可能都有涉及！
Sorry，发重了！改之！
刚才一算，按2KV的人体模型，能量竟然到了10^-4J，太恐怖了！不知道热量仿真怎么做了！直接相关的质量不超过10^-10g
增大漂移区电阻，起到镇流。一般都是漏端接外部pin, 所以在漏端加大距离。
请教下，这是怎么算的?
按人体模型的电容量和电压，我算的时候把电容里的一半能量加到了ESD中，现在再想一下，算多了，ESD钳位压降应该只有几伏，能量只能算0.2%加到了芯片中
说的好啊！
确实是这样的！
mark。
增大漏区电阻的说法我有疑问，好像电阻变大了就可以增加压降，没有电流的时候呢，电阻还有作用么?所以我觉得增加漂移区宽度的说法比较合理。比如说drift mos, 那个增加的漏端距离也是电阻么?哈哈。欢迎讨论。
一般來說 nmos drian 接到 output PAD , 須要加大 RD
如果是 有些 process 有 esd implement 就會把 ldd 打掉 也是增加 rd
, 加大 Rd會增加 esd 能力 ..所以 io rule 和 core rule 會在這邊有關 ,
另個是 latch Up rule , 多數 drc lvs 都是只有 io 的 latch up ..
但 有些 core design , layout 太近 會發生 latch up 都要 打玩 latch UP 照 emmi (漏電 )
或 obrich 後來查 , 一般 obrich 看 metal 間 是否吃不乾淨 short ,
EMMI 是看 p/n junction leakage ..
但 latch up發生後 就可能 漏電
源相当一个小电阻起到降压振流的作用, 可防止大电流从漏端进来影响到POLY.
其原理是限制各个contact电流，使各部分channel均匀trigger吧
学习了
楼上都是大侠
Drain端的电场比Source端大