向大家请教一个ESD的问题

晕， 对于mosfet，source 和drain 有差别么?S/D只是由工作状态来决定，S/D是可能互换的
但是作为连接到pad的一端需要特殊处理一下，不管是S还是D

ESD 保护的MOS的管子，一端有sab，一端没有，没有的做source，有的做drain，我是不明白这样取source，drain的原因

是要把S放外面，D放里面。

传统上s在外，D在内，但是也不是绝对的，也把D在外，S在内的，这两种我都design 过

tsmc的design rule里明确说明了这点，而且解释为为了防止esd时出现一些非预期的寄生放电路径。

我做过几个厂家的工艺都是d 在里面，s 在外面的

恩 是这样的

drain放外面我只有在LD-mos用過

ESD要求S D S的形式,其中D端接PAD,而且D到POLY的间距比较大,并且会覆盖SAB.查看ESD相关的帖子有具体的解释

确实不是绝对的soure一定在外，有drain在外的极少情况。

好的，我去看看design rule怎么说明的，谢谢啦

Drain在裏面，是因為Drain端接到PAD上，source端接到了power/ground上，drain端會有大電流或者高電壓，Drain在外面會更靠近guard-ring，讓drain端的電流直接穿過sub流到guard-ring上面，而source端就不會有這種情況發生。PS，ESD MOS的guard-ring要遠離MOS，也是同樣的道理。我解釋的比較粗略，請其他人補充或者指正。

Drain 端放到外面会有一个寄生的路径 会导致ESD电流可能从这个路径中导出 但我们不希望它走这个路径

ESD泄放是从D往S跑的，D在外岂不是很危险，容易造成大漏电，导致latch up。

学习到了

有些IO的ESD管子S端也画了SAB这是为什么能解释下吗?

拉大间距的D端是ESD直接进入的地方，不会轻易损坏器件