关于ESD电流泄放问题请教
如果，电路中有高于VCC的电压或者有低于GND的电压，是否还是将电流引导泄放到GND上?
如果，衬底电压不是GND,那大电流进入SUB后是否需要将电流引导到GND上?
由latchup引起的电流是否也可以这样思考?
自己顶顶顶
(eWiley) ESD in Silicon Integrated Circuits (2nd Ed.)
想了解的话可以看看这本书
第一个问题：电地间通过clamp泄放
第二个问题：不能说是引到gnd上，应该说是引到gnd的pad上
第三个问题：同上
很感谢
•关于第一个问题，以HBM为例，ESD会产生于任意两个Pin之间，所以ESD防护的原则是任意两个Pin发生ESD时,ESD电流都能够找到通路泻放掉，那么这个通路有可能是内部电路也有可能是ESD网络，所以ESD防护需要让ESD电流从ESD网络泻放掉，否则内部器件将会被ESD电流损伤。在HBM测试中，有6种测试模式，分别是PD(i/o to VDD +), ND(i/o to VDD -),PS(i/o to vss +), NS(i/o to vss -), i/o to i/o(+/-),在这6种测试模式中，参考电位是变换的，同时在放电端施加正向或者负向脉冲，所以对于ESD防护而言没有哪个是真正的地，因为任何一个Pin都会被选作参考电位或者放电端。
•关于第二个问题，ESD防护架构有很多种，既要保证任意两个pin之间有电流泻放通路，同时还要保证正常工作状态下不发生PN结正偏现象
•第三个问题如果电路允许，可以将ESD bus连接至sub,然后所有的PAD都对这个bus放电
•第四个问题Latchup测试模式和ESD测试模式不一样，所以不能和ESD同样看待,Latchup防护对于layout来说可以通过增大P+/N+spacing, 插入guardring, 使用well隔离等方式实现防护作用
•欢迎讨论Latchup测试方法和防护问题
•拙见而已，欢迎指正
学习了
非常感谢
非常感谢，学了了！~
学习了
學習一下非常感謝！
十分详尽，学习了！谢谢！
非常感谢
小编好问个问题~希望您能看到，能指点一下就更好了~我的问题是这样的~
同样一个NPN，在作为ESD保护电路时，下面哪种连接方式电流能力强?还有就是发射极作为PAD时，ESD工作原理是怎样的，TLP曲线会不会有“骤回区”?谢谢~希望您能回复一下~十分感谢！
学习中
个人觉得发射集面积相对比较小（当然你也可以画大），可能对ESD会有影响。不过第二张图PAD接正电位的时候会順偏漏电哦！
markmark