请问什么是PSE什么是OSE

查到PSE是poly spacing effectsOSE是Oxide Spacing effects
但是依然不是很理解具体是怎样的效应
不知道有没有高手可以帮我讲解一下具体是怎样的情况

PSE、OSE 包括WPE 都可以理解为边缘器件的参数mismatch，一组器件放在一起，边缘器件的参数和性能相比中间器件会差很多，解决办法就是边缘添加dummy。

能不能具体讲一下是什么原理呢?谢谢

如图中所示，Gate A与GateB 周围POLY环境的不同便会导致PSE，65nm以下工艺，A和B参数差别会很大，加C作为DUMMY之后，B
和A周围POLY环境基本一致，参数也会较为接近。OSE原理也相近。
其实可以理解为扩散、注入等过程中，边缘浓度与中间会有很大的差别，所以需要周围加足够多的dummy，加的越多，中间器件的差别自然越小。

可以看下tsmc45nm的设计规则，讲的很详细。慢慢看去吧。

design rule 都有