怎么实现sealring和core隔离
比如用深阱把sealring和chip core 隔离， 或者把sealring做到深阱里面?
或者用其他的方法来隔离?
如做过相关工作的还请指点下！谢谢
这得看你的工艺啊，根据工艺分析。
RF工艺。或者标准coms 工艺。能做吗? 还请指教！谢谢~！
要石沉大海了吗?
你design rule叫你咋做你就咋做。
请问各位大侠，怎么实现sealring和chip core隔离?
看不太懂問題
確定是sealring嗎
就是 假如说 是bonding的时候一根bonding线跟sealring短接了 对于整个chip也没有影响，所有要达到这个目的就一定要让sealring跟 chip core 隔离才好?
小编说的这种情况 bongding的人员付全部责任sealring一般都接GND的嘛
是，一般是像你说的这样，但如果有特殊要求的话，还是特殊处理的。像上面提的要求的话，能简单的用DNW隔离吗?
以我的经验，一般隔离的话就是加阱环和衬底环，数量和宽度随要求调整。但是我做过的版图都没做过这方面的处理。如果有deep nwell这一层，chip core都会放在deep nwell里了，sealring是画在直接放在衬底上的，根据design rule要求，它们之间的距离也很可观了，基本也没什么相互干扰了吧?需要隔离吗?以前用过一次HHNEC的工艺，它要求IO和内部结构之间有个隔离结构，也就是加最小宽度是3um（印象中好像是哈）的两圈隔离环。其他我用过的工艺还真么见过类似的要求
因为chip core里面有个别高压管是做在dnw里的，这样整个chip core放在dnw里不行吧 ?
sealring本来就是一层隔离啊，它是降低可动离子沾污的有效做法，接地即可，不知道为何呢还要再做隔离
那就分模块放在不同的dnw里。有一些器件，比如pnp一类的管子还不能放在dnw里，不同的功能模块各自放在自己的dnw里，各个模块都做好隔离我觉着就够了。我们确实是没做过sealring跟chip core之间的隔离
谢谢你的回复！谢谢！
kankan
学习了！