diode加了SAB层过不了lvs

要么改文件，要么改layer

成熟一点儿。
文件不认识器件，不想改文件也不想改器件，那就只有report出来这个错了。这是最不建议的结果。

或者不加SAB，改成串联个小电阻行不行?

waive 這個錯

纯粹瞎搞，没听说过diode需要加SAB的。
首先要搞清楚要想做出来什么器件，不懂半导体工艺能瞎整么
saliside是用来做欧姆接触的，加SAB莫非想做出一个金半接触的肖特基结
contact没有saliside，直接打到silicon上能保证良率么?

这个问题的解决：1.LVS 不pass, waive 2.修改LVS file.
我可以帮你改LVS file, 很简单. 有需要可以联络 qq:269067956

顶六楼！不知道你在那里加SAB是个什么意思！首先你这样改了之后model就不再是fab提供的了，你的仿真结果就不准！第二，不要随便改lvs 的code因为里面涉及到很多model的信息。你改的不好，或许能过，但是不敢保证是否会影响到你RC 的抽取！

他这个Diode用在IO口，应该是个ESD吧，加层sab，增加阻抗，增加抗ESD的能力，这样做不行吗?NMOS管型的ESD，漏端不也是加了层sab吗?

标题

首先打contact的地方必须做silicide，这是工艺上必须的，没有什么可以讨价还价的。
mosfet s/d的sab做法等效于串联小电阻，使得esd电流均匀，但是contact地方是没有sab的。
diode是纵向导电的，而且一样导通电阻小，加sab有什么意义

sab不是将S/D整个围起来的吗?con部分是怎么做的呢?对于diode横向导通还是纵向导通，这个得看结间距了吧，为什么说加了没意义呢?

个人认为家sab有意义，但contact地方不能加sab。一般验证时替换层或修改文件

个人认为有意义，但contact地方是没有sab的。过验证时替换层或修改文件

哥们，你SAB包的位置，包多了吧