NMOS加双环，遇到了DIODENWX的问题。

大家好，最近花版图，想给开关管（NMOS）加双环保护一下，内圈是 P-ring, 外圈是 N-ring，结果遇到了DRC问题，无法解决，问题是“DIODENWX not over DIODE" must be connected in parallel to a similar diode in a device which is compared in LVS。按照错误提示，我就在VDD和GND之间加了一个二极管，结果还是不行。唯一的办法就是去掉外圈的N-ring。
我记得以前加双环从来没有遇到这个问题。向大家求教一下，首先这个diodenwx not over diode是什么意思。其次我觉得我加双环的方法应该是正确的，但是为什么会出现这个diode的问题。

谢谢啦。

上个图看看，这么说没法判断

试试NW和PW换个位置呢

两环换下位置

多谢楼上两位，很奇怪的是当这个版图和放大器版图连在一起之后，就没有这个DRC error了。

一般遇到类似的DRC问题，你可以去看看command file中对这种错误的定义，然后你就可以知道应该如何做了。不过看你发出来的信息来看，可能是DRC的command filei中有些器件层次的定义有问题，我在一些工艺中就遇到过这种问题。和你的两个环的位置无关。其实你大可以把nmos的ptap直接做成p环，然后外面再加上一圈n环，这样还可以省点面积

谢谢你的建议。

应该是器件层次定义问题

学习了，，，，，