关于更改CT孔和CT孔到POLY距离的问题

asmc1.2工艺 CT 孔 大小为1.2*1.2um^2;CT TO POLY1.2um
asmc0.5工艺 CT 孔大小为0.4*0.4um^2;CT TO POLY O.3um

我用的是1.2工艺，公司希望采用0.5工艺做CT孔，以及将CT到POLY的距离拉到0.3um ，其他按1.2工艺做，这样的话会不会有什么风险，是否影响mos管的性能?

首先
第一：要确认工艺能实现。
前后道用不同的特征尺寸，好多fab都可以做，你公司让你这样做，应该是确认过这个了，包括机台、mask都能达到这个精度。如果这个都不确认，建议你换一家公司。
第二：根据第一条，要确认fab有相应的量产经验，如果仅仅是理论可能，实际生产过程中会给你带来很大麻烦，包括沟通、问题解决责任人、时间、良率、产能以及其他很多偶发问题。
第三：这样做model肯定是不准的。仿真器调用的器件的好多参数还是默认那个1.2工艺的，现有model只能做参照，设计要留裕量，这个跟你没关系了，是项目经理和电路设计人员的事儿。这一条就是你提到的、是否会影响到晶体管的性能，答案是肯定的。
第四：由此带来的erc的变化，比如说contact过电流能力相应的变化等等。（此处默认design rule不是问题了）
第五：由此带来的command file更改带来的风险。
暂时想到这么多，欢迎大家补充。

谢谢。

同意楼上的，说的挺好的。
问下小编这是要公司自己开发自己的工艺还是公司为了节约面积自己做的尝试啊?

公司为了节约面积想做尝试，目前正在评估

哦，画版图的就辛苦了

同是天涯搬砖工（版图工），相逢何必曾相识为搬砖事业奋斗~