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什麼是guard ring,strap,pick up

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
請問各位大大,什麼是guard ring,strap,pick up

把我的理解说说,请指正。
首先以上是从该结构起到的作用来分的。
guard ring从名字看就是保护环。通过给衬底或者阱以充分的接触,起到保持电位,吸收噪声,隔离各种噪声和敏感节点;提高ESD,latchup的性能。guardring一般要用干净电位。
pickup指的是器件电源地引出的通路,我的理解就是PMOS的ntap,NMOS的ptap。
我的理解guard ring和pick up在一定情况下是可以相同的。
例子1:一个PMOS传输门,我用闭合的Ntap包起来,这个Ntap就是guarding了;
例子2:一个反相器的PMOS,自带了一块ntap,大多数情况下这个就是pickup了。
例子3:一个反相器的PMOS,我用闭合的Ntap包起来,这个Ntap就既是pickup又是guarding了(同时起到引出电源和隔离的作用);
例子4:一个反相器的PMOS,自带了一块ntap,我再用闭合的Ntap包起来,这两个ntap都单独引到电源,那么里面那块儿ntap就可以叫做pickup,外面环的这个ntap就可以叫做guarding。
在高精尖的设计里,例如高频设计、射频设计里,要严格规划区分pickup和guarding。
strap如果小编问的是数字里的那个概念,那么是因为标准单元自带衬底接触或者使用subfiller的设计方法,所以strap的作用就是提供足够均衡和强大的power和ground,不需要起到加强衬底接触的作用,所以一般只是用metal实现。

刚才写了一大堆,结果被吞到不知哪里去了,说是要审核。唉。

guarding是其保护作用的环,主要是与chip上的其他模块进行隔离的,其他两个不知道

n/p pickup 就是n/p tap ,strap好像也是一个意思,即n,p偏置电位区域,主要是反偏 ,

n/p pickup 就是n/p tap ,strap好像也是一个意思,即n,p偏置电位区域,主要是反偏 ,

感謝大家, guarding, pickup=tap, 這個我了解了
但我在 design rule 當中看到 nwell strap, pwell strap, 還是不知道那是什麼意思?

学习了

学习了小编

PAD里面有VSS 相当于ring不知道还需不需要额外的在core外面加一圈ring

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