NT_N layer的作用

不知扫

native device layer.

我看design里面描述的是no native Vt NMOS devices

那么这层layer 可以用作组成device的层次么? 这个 native device 指的是什么?

能说的具体一些么?

不掺杂的N active区域，即0阈值管子，主要是起隔离等作用的，IO里面有的有，

阈值电压为零的NMOS，或者用作高压工艺中的隔离?

在rf layout中经常用来做隔离使用

NT_N 是native nmos， 不是不掺杂N， 应该是不做PWELL的psub
由于衬底浓度低，所以做出来的nmosfet Vth比较小，接近0

十楼解释得很正确

对于N-well工艺来讲，比如TSMC65nm 工艺，sub是p-，没有P-well, 这一层是不是可以理解为一种n-注入，中和掉sub中的p-，形成一种 接近本征的半导体呢?