热阱冷阱的区别

求答案?顶一个

冷阱就是接芯片最高电位的阱，它的电位基本不会变，很稳定。
而其它接相对高电位的阱，或者没有接任何电位的阱，它们的阱电位就有可能会发生变化，称之为热阱。
名字上的不同而已。
不严谨的说，你可以这样想，最高电位（假设是VDD）是外界直接给的，很稳定。而其它相对高电位都是电路内部模块产生的，那么电位就可能会随着芯片工作而上下浮动甚至发生大范围变化。
因此，工艺上对冷阱和热阱的要求也是不一样的，比如对N型热阱到旁边N+有源区的间距就比冷阱要大。

你能写出这两个术语的英文原文么?
一般来说，经过翻译之后的术语很难与原义保持一致。

低压内部电源接的阱算不算冷阱?我觉得冷阱是可以提供大的电流而不变电压的阱。

算不算不是我说了算，而是工艺厂说了算，它规定了除接芯片最高电位的阱之外都为热阱。

所谓的不接电源的N阱画双环包着。内部电源的就画一个PSUB环包着。

这个说法几乎没人做吧

我们就是这样做的啊。例如衬底接自身的PMOS对管，这算是热N阱吧?我们就是要画PSUB环和NW环包着的。那些REG出来的内部电源，一般就画个PSUB环包着，实在没位置就再说了。

这样做是有好处，不过能带来多少好处就不知道了

前几天问了一个大师，说是冷阱热阱的定义还是跟闩锁效应有关，就是怕冷阱旁边有个热阱，这样寄生的npn就容易导通，所以需要在热阱的时候，需要将间距拉大，降低β值。

这个确实是为了防LATCH UP的。但是回到你上一楼的帖子。谁知道有多少好处呢?谁知道哪个如果不做会不会出问题呢?再反问一下，谁要搞那么清楚每一个呢?先遵循规则，把规则弄透彻你才有可能去建立规则。

从你这个问题感觉你对规则还不是很了解，所以，我个人觉得主要还是先遵循设计规则比较好，省的出问题就麻烦了。这种问题连改金属版的机会都没有，一改就是全版。

通常做得细致的layout会在不同电位的NW之间加上PSUB来防止latch-up,不过好像没有强制要求，本来DR中相信已经考虑了这方面了，不同电位的NW的spacing就较大，不过冷热well的概念我是第一次听说，涨姿势