器件dummy如何处理？
（1）dummy器件的一极与有用器件（多个finger）的一极重合，其他三极怎么接，特别是dummy的衬底?
（2）如果dummy器件的一极不和有用器件（多个finger）的一极重合，这样dummy的poly到有用器件的最外的poly的距离与有用器件的之间的poly距离就不一致，网上说会导致刻蚀误差，但是这样的dummy的四端连接好处理。
基于上面两种做法的矛盾，不知道怎么去处理?望路过的高手指点?先谢谢了...
个人觉得第一种好，DUMMY与旁边器件是合并共用源/漏的的吧，那么DUMMY三端（G、D、S）都连到合并的那一极上，DUMMY肯定和器件同类型管子撒，那么衬底也就是一样的了噢。
第二种情况是会导致刻蚀误差，因为间距不同，但这种有时方便连线，尤其是在MOS管长度很小的情况下。
你好！针对你说的第一种好。如果是合并的那一极都是接电源，那很好。如果不是呢?那就相当于dummy器件的G ，D，S三端接在一定电压上，衬底接到电源上（一般衬底都是接电源吧，我这么认为的），那这样是不是不安全呢?
你说的情况，MOS管就算开启没有电流流过，S、D电压相同，做电容也不是，所以就是一个DUMMY了。
恩，明白了。非常感谢你的回答。希望有机会多多交流。
这样的接法会增加信号的寄生。需要match的mos做成mult好一点。
Dummy用source与有用管重合。 D,G都接到S上保证管子永远处于关闭状态。
这个要看加的是什么电路的dmy.如果给差分对加dmy,那么共享common端，应该差分对的source 是低阻节点。（dmy的加入会引入寄生，所以可以选择的情况下加在低阻节点上）。另一种情况是给current source 加dmy, 此时dmy的gate可以接在电流源的bias上，源漏接电源或地，这样dmy相当于耦合电容，而不是完全没有功能的管子。
接 gnd
对于你说的第一种情况：给差分加dummy,是接低阻端（我不知道你为啥要说低阻端，是为防止该电阻和dummy组成一个低通滤波器吗?）可如果当差分管子的finger为奇数时，差分管一般都是公共source端，那么dummy只能和差分管的drain端重合，没法做到你说的和低阻端相接。不知道我这样理解对不对?
对MOS，四端接一起，如果不能，则三端接一起。刻蚀窗口不一样，刻蚀速率不一样，刻蚀窗口大，刻蚀就快，容易过刻蚀。周围加dummy的作用之一就是防止最外围的MOS过刻蚀。
膜拜大神啊
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