较宽的金属层次刻蚀问题
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
某些0.6的工艺会存在这样一个版图设计规则同一层金属,如果金属宽度小于10um,那么金属之间的最小间距为0.8um
如果金属宽度大于10um,那么金属之间的最小间距为1.5um
然而某些0.6的工艺就不会存在这样一个版图设计规则
个人认为无论金属宽度为多少,其面对的光刻条件(光刻胶厚度,曝光时间、刻蚀时间)都是一样的,金属刻蚀是刻蚀氧化层,个人认为与负载效应关系不大,因此请教各位大神,这是由于什么问题导致的?
如果金属宽度大于10um,那么金属之间的最小间距为1.5um
然而某些0.6的工艺就不会存在这样一个版图设计规则
个人认为无论金属宽度为多少,其面对的光刻条件(光刻胶厚度,曝光时间、刻蚀时间)都是一样的,金属刻蚀是刻蚀氧化层,个人认为与负载效应关系不大,因此请教各位大神,这是由于什么问题导致的?
金属刻蚀,刻蚀的是金属本身。
这个规则主要是过刻蚀有关吧,宽度小的金属之间,或者间距比较大的金属之间,过刻蚀比较大,而宽度大的金属之间过刻蚀小,所以宽度大的金属之间如果间距小了,容易出现刻蚀不净,造成金属相连。
1、金属刻蚀,刻蚀的是金属本身。我想表达的意思是金属为反版,刻蚀区域为不需要的区域,因此这样的情况就会与负载效应表达的含义无关,不好意思
2、这个规则主要是过刻蚀有关吧,宽度小的金属之间,或者间距比较大的金属之间,过刻蚀比较大,而宽度大的金属之间过刻蚀小,所以宽度大的金属之间如果间距小了,容易出现刻蚀不净,造成金属相连
过刻蚀的问题实际上就是刻蚀时间问题,完全可以忽略各向异性的小偏差,如果考虑到终点检测,这个问题是可以避免的。
现在的问题是,有很多工艺线存在这条宽铝规则,也有相当一部分工艺线不存在这条规则,因此我浅显的认为应该是机器上的问题,只是不知道是哪一个步骤会导致该问题的发生
製程能力 , 同樣做 IC
(光刻胶厚度,曝光时间、刻蚀时间) 可調整
金属刻蚀是刻蚀氧化层 ,事實上
是先刻蚀氧化层, 再刻蚀金属
有好幾個步驟
看製程能力 , 也考慮 良率