GGNMOS的几点疑问？

最近在看ESD，有几个问题请大大们指点一下：
1、对于.35以下的工艺来说，NMOS源漏之间“击穿”时，是先发生punchthrough，还是雪崩击穿?
2、GGNMOS的snapback在电压够高时一定会发生吗?还是有一定的条件?
3、snapback与punchthrough和雪崩击穿有什么关系?发生的先后顺序是怎样的?
谢谢了！

个人观点：1：要是NMOS的L非常小，就会发生punchthrough，一般设计的时候L都会放大一点点，让其先发生雪崩击穿。
2：GGNMOS你要看它在什么工作状态下。
3：参考1