求助！ drc出错

将某栅延长与金属1接触DRC出错如下：
nwellterm nwvia :causesmultiple stamped connections
nwellterm nwvia: has multiple stamped connections
这该怎么解决

急求高人指点

在线求讨论

是否跟两条栅的距离有关?

看提示 感觉poly上的cont被识别成nwvia了，是否poly需要覆盖n+ p+之类的东西

poly在延长的路径上覆盖了 n+围成的n阱接触
因为设计规则要求源漏的接触口 和n 阱或p 衬底的接触不能大于10 um所以在两排 Pmos器件中间加了n阱接触
现在要把Pmos 的栅都连在一起
请问有解决的办法吗

能画个示意图么 你这么说 没有办法的 感觉要做abut(pdiff和ndiff要靠一起)

这个图能有帮助吗

看不清 你自己手工画一个示意图就好 主要是看不清层的信息

那白条是poly 直接穿过nwell（上面有ndiff和cont）。这个怎么可能不出错

黑色表示poly（需要在nwring内部跳到metal 然后红色metal互连）

画图能力有限 不知道这样可以不

看11楼的回复

问题已解决 非常感谢您的帮助！

呵呵，问题类似啊。

学习中..

就是　栅不能n阱衬底的有源区　　你那样就ＤＲＣ的错