匹配器件上可以走matal2及上的金属 吗?
时间:10-02
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在需要匹配的器件上可以走骂matal2及以上的金属吗? 还有,可以在匹配的MOS管的有源区打M2_M1或M3_M2孔吗?
尽可能不要走,既然是要做匹配了,对面积的要求就没那么苛刻了吧,绕一绕总能过去。
同意2#说法。
一般的,比如power/输出OP/电流镜结构,以DC信号为主的,device上跑自身的MT2 routing没什么问题,但是也要尽量做到matching;对于high speed的而言,减少寄生,就要在MOS外面用routing channel 了。
总之还是面积、性能的折中,看具体的是哪种功能的芯片吧。
不行,mismatching很差
拼接整体的时候,会从匹配的器件上(如放大器的差分对管)上面都走了很多线,都是与匹配器无关的其他信号线,都是M2及以上的线,不知道有什么影响,大不大?
可以的,没那么变态的要求,只是在相同情况下,匹配效果会差一点,但并不大,对于电流镜
的大部分应用下,是没有问题的
匹配的器件上方不是不可以走metal 而是要完全匹配 就是metal也要匹配(比方说如果要在中间走一段metal 匹配的所有方块都要走才行 不能一些走一些不走 而且走的形状都要一模一样) 当然保守的方式就是都不要走 但是M2以上对于晶体管的影响比较小了 我的话都是只管M1 以上的都自由使用
基本同意8楼同志的说法,不过我一般能不走的绝对不走,除非逼不得已(很少很少逼不得已),就算走也用top metal,或是倒数第二层metal ,既然都做匹配了,又何必再去破坏自己的匹配,不管怎么总是有影响的
在有源区一般不打孔,至少我从来没有打过,除非数字的