请问不同尺寸的wafer在相同转速下光刻胶厚度一样吗？

我觉得相同转速下（比如4000转），wafer越大，线速度就越大，因此如果不同尺寸的wafer要得到相同的光刻胶厚度，大的wafer应该用较低的转速才对。请问是这样的吗？先谢了！

神逻辑。。。你没甩过胶吧。。。
对不起 我刻薄了
回答你的问题，你说的什么线速度什么尺寸一点儿关系都没有 胶的厚度只跟稀释程度和有没有到甩胶所需转速和时间有关 跟基底尺寸基本没关系。