cpu发热过多是什么原因造成的？

首先，想搞懂CMOS的功耗分成那几部分。
除了静态功耗、动态功耗，还有其他吗？静态功耗是指cmos稳定状态下的功耗吗？如果
是这样，那么总有一个管子导通，一个管子关闭，是导通的管子功耗大，还是关闭的管
子功耗大？
主要想知道cpu发热过多是什么原因造成的？是因为栅氧化层不能再薄了，电压不能降
低了，还是因为硅的电子迁移率不能完全满足cmos需要了，cmos阻抗变大所导致的？

cpu发热过多首先你要分两个层次考虑问题。
你其实想问的是工艺上的问题。但是cpu发热过多可以说大部分是由于架构设计问题导致的，毕竟某个工艺不可能只是一个cpu／soc在用，同一个工艺各家的设计会产生不同的功耗和发热。

只考虑cmos本身情况。

静态功耗主要是漏电，和工艺相关

本来就没有完全绝缘的东西。二氧化硅，反偏的pn结这些就算等效的电阻是1G欧，听着够大了吧？加1v的电压还是有1na的漏电，几亿个1na还是很可观吧？！几十nm的工艺本身就是到处都在漏
工作中的cmos你可以简单的认为是翻转一次，就需要电源给一个电容充次电，然后在把这些电从地放点，同样的上亿的器件一起充放电，还是很厉害的

cmos晶体管原理书里就有讲，百度也能搜得到很多