关于射频发射机ACPR指标与本振相噪指标的关系

      假设有一个窄带射频发射机，channel bandwidth 15Khz，channel spacing 是20khz,要求第一邻道的ACPR为-60dBc,如果采用直接上变频发射机架构，那么对本振相噪的要求是
-60dbc-10log(15khz）=-102dbc/Hz@20khz
请问以上推导正确吗？至少在量级上正确吗？（也许会有3dB的偏差）。
如果推导正确，这个ACPR指标对相噪要求岂不是太苛刻？

LO 频率多少

这个不是重点，即使本振是100多MHz,实现起来也是有难度的。我关心的是这种导出指标的原理对不对。谢谢

没问题。
gsm的相噪就是最大挑战。你可以研究研究rda是怎么做的，呵呵。

感觉不太对，ACPR针对有modulation的时候，power的比值，而phase noise是针对纯carrier的。
积分功率跟phase noise curve的profile有关，所以应该没有那么苛刻

频域上应该是基带信号频谱和本振载波频谱的卷积 假设基带信号频谱是矩形 同时假设20khz频偏处15KHz带宽内相噪相同（近似） 那么卷机出来临道频谱是等腰三角形 功率比我推导的确实要小 但是感觉应该没有量级上的差别 应该只是放宽3db左右 而且考虑到其他因素（非线性）对ACPR的影响 要求严点也是必须的 总之想衡量一下相噪对ACPR的影响 这个涉及到发射机本振相噪受哪几个因素影响 由哪几个因素决定的问题 除了发射EVM，我认为窄带系统ACPR是决定相噪的主要因素

等腰三角形宽度还宽了呢，之前计算的没错

他这个明显是对讲机的spec

RDA也有对讲机的

102dbc@20KHz对于频率低一些的场景例如就几百兆的话，应该还是比较容易的吧。
对讲机的lo难度本来就和基站差不多，这个要求看起来很正常，至少很多年前就这样了，不知道现在是不是更容易了。

相噪没那么难了，但是如果不做doubler的话，spur还是挺难