bonding line融断

在试验室做测试，IC封装在管壳内，由金线手工打线做的bonding，加电时其中的两根金线融断，发生在金线弧度最大处，两根线分别对应电源和地线，但是IC内部没有问题（用探针重新测试，工能正常），后来计算金线过流能力大约400mA，IC内部10mA，为什么不是IC内部先烧坏，而是选烧bonding line呢？求各位大大给分析分析

电源和地焊到一起，短路了？

没有，离的比较远的

可以做个实验
给电的时候限流400mA看看会不会烧坏？
也许流过的电流不是10mA呢？比如打线打的比较狠，穿到衬底了，只是猜测

确实试验来着，用电流表监测，眼看着金线断了，IC没事，金线是直径25微米的圆线，IC内部15微米的铝线，从电流做功角度怎么也对不上号

是不是这样子，芯片本身因为有接触，散热比较好，热量能及时散发除去，金线因为暴露在空气中，只能本身慢慢散热，所以容易断，是吗？

一开始上电时可能电流较大，输入加个低通？打两根线

现在怀疑是这个，回头算下电流做功和温度及散热之间的关系，看看能不能对的上

加磁珠了，好像没管事。。。。

其实示波器有那种电流夹子，可以看接上去的瞬间电流的大小。或者更简单点，串联一个小电阻在电源线上，上电的时候用示波器抓电阻上的瞬间压降算电流大小。你这明显是电流太大金线断了。

局部电弧放电？

这还用看吗，芯片上的电流很大呗。可能是上电浪涌也可能是正常电流，反正就是大，芯片上那么大面积的电源地通路，能经受的电流肯定大于你几根丝

芯片内部的15um铝线，按一般的制程，AP的话，瞬态电流坚持1A ~ 2A不成问题
比如ESD HBM 2K 3K ~ 5K。
我以前做AP有时候逼急了8um宽也干的
design rule上写的Imax一般是指DC电流限制，超过限制以后受损的是10年寿命
类似ESD瞬时放电的Imax可以通过积分方法求导
至于熔断限制，其实一般design rule都不会描述的
不必怀疑为啥chip里没事，bonding死了。金线熔断比AP快多了。

后来做了热分析，把金线辐射散热功率、传导散热功率，和铝线传导功率（没考虑辐射散热）都算进去了，当金钱熔断时，铝线温度才变化几十度，真是不算不知道啊，难道搞IC的还要懂热学？！本来已经很苦X了，谢谢版上牛牛们