esd 问题

rc clamp, 就是那种rc 然后一个inv 加 一个大nmos的..
我们公司esd 的人说drain上面不需要做esd rule,因为它是强导通的..
难道是因为我们公司用的特别大,4000/0.6.
但但我看其他tsmc或者smic都是做,不过他们尺寸小,通常都是360/0.6..
到底要不要做呢,他说的好像有道理,esd 那点1.33A电流对4000/0.6的管子的确不算什么..

gate coupled esd cell主要还是考虑导通时电流的一致性
你说的esd rule是哪些？
一般来说会做一些silicide blk让导通更均匀一些
而且，esd nmos导通的时候很多情况下parasitic npn也会通

两个原理不一样，4000/0.6的是走沟道，管子是被反相器驱动打开的，所以能保证全开。
360/0.6的走的是寄生bipolar，所以需要拉长、去silicide，使得所有的finger都能开启，电流不会汇聚到某几个finger上。

我看到smic 也是inv 驱动360/0.6的管子，为啥要求也要打 esd rule？
难道是因为管子太小，就算是gate 强导通， 还是会snapback，所以要esd rule。。
另外一个问题，同样的总宽长，比如500/0.5，是50*10um/0.6的容易snapback，还是10个50/0.6的容易snapback，假设其他sub tie的距离什么的都一样。

这么说吧，你可以做这么一个简单的仿真，360/0.6的管子走1.33A的电流，VGS=VDS。
看看仿出来的VDS电压是多少，你就不会认为光靠沟道可以搞定了。

你说的对，360/0.6V， 过1.33A的电压是12V，绝对触发snapback了。