40v boost的高压n管ring怎么接？
我觉得问题不大，这个应该属于正常接法。第二圈nbl如果接到输出40V，那
switching noise会被这个nbl扩散，意义不大。多远这个纯看你的slew rate
和工艺本身了...这个凭运气吧
倒是有个问题你可以考虑一下，如果你的pgnd跳动很大，你的最里面的
nbl(drain40V)-psub(pgnd)-deepn(5V)npn可能会有一定的漏电，5v可能会
有灌电流的问题。如果你们工艺允许，把deepn接到gnd可能是一个解决办法。
真羡慕你们nbl能接高压...
这个距离不好说，要是MPW。你可多试一试。
Product mask，那就加宽第二圈nbl，根据负载留到其他电路距离。
有nbl couple应该小一些吧。
最外面deep n 跟里面的一样深么？如果是更深的n-tub 能把里面所有的nwell＆pwell都包在里面就问题不大。如果n-tub里面没有pmos 而pwell 接gnd的话，接5或者40都可以，接5可能parasitic NPN会有leakage，接40比较安全，当然接40 面积大不少（接的40v不能swiching否则一样couple noise)。
如果只是同样的nwell ring，只能防止水平方向的noise，底下common psub 的noise没办法避免。第一圈p ring kelvn 单点接回gnd pad。第二圈接5v就可以。如果还没办法解决noise，拉再远也难说，因为已经很远了。或者去掉最里面nbl但保持同样的deepn深度?或者牺牲效率把开关slew rate减慢。
不全是，0V的nbl也是可以吸收电子的，效率低一点罢了
有时候会把nbl，p+,nbl都接gnd.外围再包一圈
你这个倒是TI的做法.不过通常都是给buck 用的.因为buck LS 的drain 要到-0.6v,那么这个NBL 也可能到-0.6V的. 那么外面的这个NBL 接 vdd ,倒是有可能 -0.6v NBL 0 Psub 5v NBL的NPN 是会从VDD上面抽电,导致效率降低,所以通常把外圈NBL接GND.
至于你说的boost的第二圈NBL 接 VDD不好,我倒是没看懂. 如果这个NBL接到GND上面,那么如果psub 如果跳高的话， 20V-psub 0v -0v NBL不是更容易导通？
你说的没错～但如果你那两个0V是locally connected，而且contacts打的比较
多，影响应该不大，如果是分开的gnd, pgnd是不好。你那个pgnd，5V如果能保证不
会跳到pgnd>5V的时候，也没有问题～
木有做过boost,不知道还有什么其他的讲究～
再补一句，退一步说，就算导通，也问题不大，效率损失是自然的，但至少那部分电流
是流到地上的；如果是流到5V里，而且这个5V没有很强的sinking capability，
比如说是简单LDO的结构，5V有可能被抬高，这个问题就更严重了。
实际上这个片子已经回来了， 接法就是我说的这样的。但现在发现距离power mos 20um 处的refernence 被couple 的很厉害。 当然最好的做法就是把reference单独放到 另外一个NBL里面去。 当时大意了，直接做在sub 上面了。那么现在的问题是在现有基础上改。 开关高压管的NBL接到drain不能变，相当于 psub 上面有个0-40V swithch的噪声源。 我现在想通过把第二圈NBL 从5V 改到最终输出的40V（经过电容滤波之后的输出）,希望能多隔离一些noise。 不知道效果会如何。
大概的截面图如下
drain(0-40v)NBL(=drain)pmoat(power GND)NBL(5V,想改为40V)pmoat（PSUB GND) pmoat (analog gnd) Refernece ckts.
第二圈NBL和第一个NBL deep nwell的深度是一样的。但如果第二圈改为40v之后，希望它产生的隔离电场会强一些。
这是两个问题么...
我觉得40V意义不大，如果是reference的话，主要还是看GND是不是干净吧，你可以
试试FIB一下看看
如果substrate不干净，ref 肯定不准吧。首先这一块的substrate接到gnd 上面 sub 不干净，gnd 肯定也不干净，其次sub 如果不干净，那么ref里面所有的nmos 都相当于有一个back gate 在抖啊抖，当然输出也不干净了。
那如果40v 没什么大意义的话，那我的ref 还有啥办法可以救么？
供参考：
metal change：冒险一点第一圈的gnd ring全部floating，nbl接LC后的40V增加衬底电阻。但搞不好会容易过早触发snapback。。。 做FIB试试，如果能搞搞TLP曲线更好（好像不行）
full mask change：第一圈pgnd ring不要打太厚，隔开距离多点nbl接LC后40V，隔开点距离后在打agnd ring
最