有人用过高压工艺么？
时间：12-12
整理：3721RD
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请问LDMOS和常规的HV NMOS有啥区别？
电流能力不一样？hvnmos应该弱点，挡高压，ldmos是不是当开关管较多？
LDMOS 只能耐VDS，VGD高压
gate oxide还是常规厚度，所以vgs耐不了高压，但是导通电阻比较小。
HV MOS所有的地方都能耐高压。
也不一定的，见过vgs=vds的ldmos，rdson才1x毫欧*平方毫米，厚山羊；
开关管、模拟管都可以有的；
ldmos一般pbase与source必须接死在一起；
LD有埋层的话可以自举起来high side应用，否则同步使用时死区时间有可能有寄生bjt导通烧毁。
赞，话说有几家公司也有highside LDPMOS...
不过没用过～