有没有人用过tsmc的.35高压40V工艺

我遇到一个奇怪的问题，有没有人指点一下。一个简单的源跟随器，用的高压NMOS。漏端接电源吧，gate接一个固定电压比如2.5V，dc扫电源。发现电源大到15v以上时源端电压超过gate电压跟着电源走了。这让我很费解，换成普通nch管的时候没这个问题。

该高压NMOS的SB耐压是多少呢？

你是用开关管还是模拟管呢？
我这边有个类似的工艺（LDNMOS），高压管分sw与analog，sw管只能工作在线性区，analog可以线性与饱和。

是不是D和B的耗尽区已经扩展到S了？
你把gate电压抬高一点看看这个现象有没改善

好像这么解释才通
不过如此一来，这个管子岂不是有问题？TSMC会犯这种错误？这个工艺算是很成熟的了吧

我看多半是model的问题，model毕竟是model，不是真正的物理，
model只能在比较“正常”的测试条件下才能反映物理，
在某些“异常”、“极端”或者“变态”的测试条件下很可能给出错误的结论。