微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > 微电子学习交流 > 比源漏离子浓度更深的有哪些步?

比源漏离子浓度更深的有哪些步?

时间:12-12 整理:3721RD 点击:
我知道的有Poly gate重掺,还有其他么? Logic和Memory都算上.

常规MOS工艺应该没有了吧,如果算上bipolar或者功率器件,就不晓得了

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top