问下做Std cell lib的人，你们的corner有否考虑CD variation？

问下做Standard cell lib的人，你们的ff/ss corner有否考虑CD variation？
我目前用的cell lib，目测仅考虑了以下的PVT corner:
P:
Mobility, Threshold voltage
V:
VDD
T:
Temperature
并未考虑比如Tox和CD的variation啊。有没有考虑CD variation的lib？

各种工艺都不同么？比如最新的20+nm，比如较旧的45nm，或者更旧的65、90nm呢？
我所用的是Nangate 45nm Open Cell Library