问个mos管gm的简单问题
时间:12-12
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nmos、pmos的gm原始公式中,gm=KW/L *(VGS-VTH)
可以简单认为:gm ∝ W/L,增加W,gm也会变大.
如果W无限增大(增加finger),gm也无穷增大下去?答案显然不是,W无限增加,gm不会增加了,是怎么限制的?多谢各位的解释
可以简单认为:gm ∝ W/L,增加W,gm也会变大.
如果W无限增大(增加finger),gm也无穷增大下去?答案显然不是,W无限增加,gm不会增加了,是怎么限制的?多谢各位的解释
我认为GM会无限增加,gm得考虑到寄生电容
不考虑偏置电流么?如果电流无限大是不是真的无限大?
如果偏执电流不变,(VGS-VTH)会越来越小,脱离饱和区,进入弱反型了、
如果你I保持与W同比例增加,确实gm就会无穷大下去
好吧,“答案显然不是”,我得出的结论有些缺少依据。
只要电源有这个能力,显然无限增加的finger可以把全世界的电能都抽干
问题是有这样无限的电源吗?
你想想,并联管子有限制吗?
没有的话,gm有限制吗?
这个Gm是原始简化版在特定条件下成立的公式吧。。而不仅仅是原始公式。。。