请问怎么测量界面态的密度和能级啊？

这是个好问题，我先抛砖引玉一下。
首先要解决金属和半导体，金属和绝缘体的接触，确保其是欧姆接触，如果不是欧姆接触那么可能只能用charge pumping来测界面态了.如果能确保金属和半导体的接触可以进行CV测试，还有用conductance方法（see S.Mze's book Ch4）也行。用结果结合SHR的模型加上材料的capture area等能简单算算界面态的freq，半定量一下,算个数量级.
Shottky Barrier的测量，如果有fermi level pinning那么就知道在那个能级的界面态密度很高。但是归根结底这不是个定量的方法。
现在做Si/SiO2（Hi-k）的界面态很少了,因为已经做到ten to tenth，很低了，难道你也是研究35MOS的？unluckily,I am。
我的一知半解如上，请大牛指正，

你看你是量什么材料的了
以及device的尺寸
比如oxide厚度以及W,L
oxide越厚，面积越大越好量
量的方法可以分为电学和quantox方法
其实quantox也是电学，只不过不是用那种测量电流电压的半导体参数分析仪比如4156
电学方法很多
charge pumping, dlts, dciv, cv, gate diode....
具体的你可以查书或者paper
D.K.schrodinger  有本不错的书，专门讲characterization的
可以参考
其实最方便最有效的，个人觉得还是charge pumping
有很多种方法，有的可以量缺陷能级